多晶硅薄膜的表面处理工艺

曾祥斌; 徐重陽; 饒瑞; Johnny K.O. Sin

多晶硅薄膜的表面处理工艺

曾祥斌, 徐重陽, 饒瑞, Johnny K.O. Sin

Department of Electronic and Computer Engineering

Research output: Contribution to journal › Journal Article › peer-review

Abstract

采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等離子體分別對ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面進行了鈍化處理，處理后的ｐ－ＳｉＴＦＴ（薄膜晶體管）具有比未處理ＴＦＴ更優越的性能，通電試驗與熱應力試驗后，處理后的器件呈現出更好的承受電負荷和熱應力能力，鈍化的微觀機理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等離子體中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的懸掛鍵，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ鍵，減少了表面態密度．

Original language	Chinese (Simplified)
Pages (from-to)	693-696
Journal	Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials
Volume	16
Publication status	Published - Jul 2001

Access to Document

https://hdl.handle.net/1783.1/107335

Cite this

@article{81a9e1bc8fe84a96a973568f338ba991,

title = "多晶硅薄膜的表面处理工艺",

abstract = "采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等離子體分別對ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面進行了鈍化處理，處理后的ｐ－ＳｉＴＦＴ（薄膜晶體管）具有比未處理ＴＦＴ更優越的性能，通電試驗與熱應力試驗后，處理后的器件呈現出更好的承受電負荷和熱應力能力，鈍化的微觀機理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等離子體中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的懸掛鍵，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ鍵，減少了表面態密度．",

author = "曾祥斌 and 徐重陽 and 饒瑞 and Sin, \{Johnny K.O.\}",

year = "2001",

month = jul,

language = "Chinese (Simplified)",

volume = "16",

pages = "693--696",

journal = "Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials",

issn = "1000-324X",

publisher = "Science Press ",

}

TY - JOUR

T1 - 多晶硅薄膜的表面处理工艺

AU - 曾祥斌, null

AU - 徐重陽, null

AU - 饒瑞, null

AU - Sin, Johnny K.O.

PY - 2001/7

Y1 - 2001/7

N2 - 采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等離子體分別對ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面進行了鈍化處理，處理后的ｐ－ＳｉＴＦＴ（薄膜晶體管）具有比未處理ＴＦＴ更優越的性能，通電試驗與熱應力試驗后，處理后的器件呈現出更好的承受電負荷和熱應力能力，鈍化的微觀機理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等離子體中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的懸掛鍵，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ鍵，減少了表面態密度．

AB - 采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等離子體分別對ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面進行了鈍化處理，處理后的ｐ－ＳｉＴＦＴ（薄膜晶體管）具有比未處理ＴＦＴ更優越的性能，通電試驗與熱應力試驗后，處理后的器件呈現出更好的承受電負荷和熱應力能力，鈍化的微觀機理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等離子體中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的懸掛鍵，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ鍵，減少了表面態密度．

M3 - Journal Article

SN - 1000-324X

VL - 16

SP - 693

EP - 696

JO - Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials

JF - Wuji Cailiao Xuebao/Journal of Inorganic Materials

ER -